Dioda wysokiego napięcia 200mA

Wyślij zapytanie
Dioda wysokiego napięcia 200mA
Szczegóły
2CL2012 Dioda szybkiego odzyskiwania wysokiego napięcia 12kV 200mA|Dioda prostownicza źródła zasilania promieni rentgenowskich do-sprzętu rentgenowskiego, zasilaczy wysokiego-napięciowego, systemów zasilania impulsowego i przemysłowych obwodów prostowniczych.
Klasyfikacja produktów
Dioda HV szybkiego odzyskiwania 200 mA
Share to
Opis

Przegląd produktu

 

Dioda wysokiego napięcia 2CL2012 o szybkim odzyskiwaniu energii została zaprojektowana do zastosowań związanych z prostowaniem-wysokiego napięcia, wymagających dużej szybkości przełączania, niskiego prądu upływowego i wysokiej niezawodności.

Wyprodukowany w technologii formowania epoksydowego o wysokiej stabilności, zapewnia doskonałe właściwości izolacyjne i długą żywotność pod wysokim napięciem.

 

Kluczowe funkcje

  • Wysokie napięcie wsteczne do 12kV
  • Szybki czas odzyskiwania: 0,1 μs
  • Niski prąd upływowy: 5 μA
  • Wysoka zdolność prądowa udarowa
  • Kompaktowe, formowane opakowanie z tworzywa sztucznego
  • Epoksyd trudnopalny UL 94V-0
  • Wysoka niezawodność i długa żywotność

 

Aplikacje

  • Zasilacz wysokiego napięcia promieni X-
  • Obwody prostownicze wysokiego napięcia
  • Impulsowe systemy zasilania
 
  • Przemysłowy sprzęt wysokiego-napięcia
  • Układy zasilania lasera
  • Sprzęt do obrazowania medycznego

Charakterystyka elektryczna

 

Parametr

Symbol

Wartość

Jednostka

Powtarzające się szczytowe napięcie wsteczne

VRRM

12

kV

Średni prąd przewodzenia

JEŻELI(AV)

200

mama

Udarowy prąd przewodzenia (1 cykl)

IFSM

15

A

Szczytowe napięcie przewodzenia

VFM

28

V

Szczytowy prąd wsteczny

IRRM

5

μA

Odwróć czas odzyskiwania

tr

0.1

μs

Temperatura złącza

TJ (maks.)

130

stopień

Temperatura przechowywania

Tstg

-40 ~ +130

stopień

 

Powiązane typy serii 2CLG20

 

Typ

Wartości znamionowe

Temp. Stan

Charakterystyka elektryczna
[Ta=25stopień, wszystkie są wartościami maksymalnymi]

Wymiar

VRRM

JEŻELI(AV)

IFSM

Tj

Tstg

VF

IR1

Trr

φciało*L, φprzewód

[IFM=200mA]

[VR=VRRM]

KV

mama

A

stopień

stopień

V

μA

μS

mm

2CLG2006

6

200

15

130

-40~+130

15

5

0.1

Φ4.2*15/Φ0.8

2CLG2008

8

200

15

130

-40~+130

20

5

0.1

Φ4.2*15/Φ0.8

2CLG2010

10

200

15

130

-40~+130

24

5

0.1

Φ4.2*15/Φ0.8

2CLG2012

12

200

15

130

-40~+130

28

5

0.1

Φ4.2*15/Φ0.8

2CLG0220R

20

200

15

130

-40~+130

36

5

0.1

Φ7.5*22/Φ1.2

2CLG0230

30

200

15

130

-40~+130

46

5

0.1

Φ7.5*22/Φ1.2

 

Dane mechaniczne

 

* Rodzaj opakowania: Formowany korpus z tworzywa sztucznego
* Epoksyd: środek zmniejszający palność UL 94V-0
* Polaryzacja: Kolorowy pasek oznacza katodę
* Solidna konstrukcja zapewniająca izolację wysokiego napięcia

product-1431-999

Dlaczego warto wybrać naszą diodę 2CL2012?

 

* Stabilna kontrola jakości produkcji
* Odpowiednie do przemysłowych-systemów wysokiego napięcia
* Silne możliwości badawczo-rozwojowe w zakresie urządzeń półprzewodnikowych wysokiego napięcia
* Eksportuj-gotowe opakowania dla klientów na całym świecie
* Dostępne specyfikacje niestandardowe

 

Popularne Tagi: dioda wysokiego napięcia 200 mA, Chiny dioda wysokiego napięcia 200 mA producenci, dostawcy, Dioda HV o szybkim odzyskiwaniu 200mA

Wyślij zapytanie