Dioda wysokiego napięcia o dużej mocy i wysokim napięciu ——0,4–10 A 1–20 KV 75–150 nS

 

productcate-259-259

productcate-265-265

Funkcja:

● Mały rozmiar, niski VF

● Wysoka niezawodność, wysoka Tj

● Wysoka zdolność udarowa, szybki Trr

Aplikacja:

Zasilacze promieni rentgenowskich, generatory-wysokiego napięcia i sprzęt testowy, akceleratory cząstek, zastosowania elektrostatyczne, odwadnianie ropy naftowej, zasilacze laserów, obwody powielaczy napięcia, zasilacze do transmisji mikrofal itp.

 

Seria 2CLG1 10-20KV 1A 150nS

 

Typ

Wartości znamionowe

Temp. Stan

Charakterystyka elektryczna
[Ta=25stopień, wszystkie są wartościami maksymalnymi]

Wymiar

VRRM

JEŻELI(AV)

IFSM

Tj

Tstg

VF

IR1

Trr

φciało*L, φprzewód

[JEŚLI=JEŻELI(AV)]

[VR=VRRM]

KV

A

A

stopień

stopień

V

μA

μS

mm

2CLG1-10

10

1

30

120

-40~+120

30

5

0.15

Φ4.5*15/Φ1.0

2CLG1-20

20

1

30

120

-40~+120

60

5

0.15

Φ4.5*15/Φ1.0

 

BR-Seria F 2–10 KV 0,4–1 A 150 nS

 

Typ

Wartości znamionowe

Temp. Stan

Charakterystyka elektryczna
[Ta=25stopień, wszystkie są wartościami maksymalnymi]

Wymiar

VRRM

JEŻELI(AV)

IFSM

Tj

Tstg

VF

IR1

Trr

φciało*L, φprzewód

[JEŚLI=JEŻELI(AV)]

[VR=VRRM]

KV

A

A

stopień

stopień

V

μA

μS

mm

BR2F

2

1

50

120

-40~+120

9

5

0.15

Φ5*9/Φ1.2

BR3F

3

1

50

120

-40~+120

9

5

0.15

Φ5*9/Φ1.2

BR4F

4

0.8

50

120

-40~+120

11

5

0.15

Φ5*9/Φ1.2

BR5F

5

0.8

50

120

-40~+120

14

5

0.15

Φ5*9/Φ1.2

BR10F

10

0.4

50

120

-40~+120

25

5

0.15

Φ5*9/Φ1.2

 

Seria HPB 1-10KV 1,5-5A 150nS

 

Typ

Wartości znamionowe

Temp. Stan

Charakterystyka elektryczna
[Ta=25stopień, wszystkie są wartościami maksymalnymi]

Wymiar

VRRM

JEŻELI(AV)

IFSM

Tj

Tstg

VF

IR1

Trr

φciało*L, φprzewód

[JEŚLI=JEŻELI(AV)]

[VR=VRRM]

KV

A

A

stopień

stopień

V

μA

μS

mm

HPB01

1

5

80

120

-40~+120

1.2

2

0.15

Φ8*10/Φ1.28

Φ7.5*22/Φ1.2

HPB02

2

4.5

80

120

-40~+120

2.4

2

0.15

Φ8*10/Φ1.28

Φ7.5*22/Φ1.2

HPB03

3

4

60

120

-40~+120

3.6

2

0.15

Φ8*10/Φ1.28

Φ7.5*22/Φ1.2

HPB04

4

3.5

60

120

-40~+120

4.8

2

0.15

Φ8*10/Φ1.28

Φ7.5*22/Φ1.2

HPB05

5

3

60

120

-40~+120

6.0

2

0.15

Φ8*10/Φ1.28

Φ7.5*22/Φ1.2

HPB06

6

2.5

50

120

-40~+120

7.2

2

0.15

Φ8*10/Φ1.28

Φ7.5*22/Φ1.2

HPB08

8

2

50

120

-40~+120

9.6

2

0.15

Φ8*10/Φ1.28

Φ7.5*22/Φ1.2

HPB10

10

1.5

50

120

-40~+120

12

2

0.15

Φ8*10/Φ1.28

Φ7.5*22/Φ1.2

 

Dioda wysokiego napięcia serii HVRW 1-5KV 1-5A 150nS

 

Typ

Wartości znamionowe

Temp. Stan

Charakterystyka elektryczna
[Ta=25stopień, wszystkie są wartościami maksymalnymi]

Wymiar

VRRM

JEŻELI(AV)

IFSM

Tj

Tstg

VF

IR1

Trr

φciało*L, φprzewód

[JEŚLI=JEŻELI(AV)]

[VR=VRRM]

KV

A

A

stopień

stopień

V

μA

μS

mm

HVR1W

1

2.5

200

150

-55~+160

2

2

0.15

Φ8*10/Φ1.28

LUB

Φ7.5*22/Φ1.2

HVR2W

2

1.5

200

150

-55~+160

3

3

0.15

Φ8*10/Φ1.28

LUB

Φ7.5*22/Φ1.2

HVR3W

3

1.5

200

150

-55~+160

5

5

0.15

Φ8*10/Φ1.28

LUB

Φ7.5*22/Φ1.2

HVR4W

4

1

200

150

-55~+160

5

5

0.15

Φ8*10/Φ1.28

LUB

Φ7.5*22/Φ1.2

HVRW3G

3

5

100

150

-55~+160

4.8

4.8

0.08

Φ8*10/Φ1.28

LUB

Φ7.5*22/Φ1.2

HVRW5G

5

3

60

150

-55~+160

13

13

0.08

Φ8*10/Φ1.28

LUB

Φ7.5*22/Φ1.2

 

Seria HPT 1700-2200 V 10 A 75 nS Dioda wysokiego napięcia z węglika krzemu

 

Typ

Wartości znamionowe

Temp. Stan

Charakterystyka elektryczna
[Ta=25stopień, wszystkie są wartościami maksymalnymi]

Wymiar

VRRM

JEŻELI(AV)

IFSM

Tj

Tstg

VF

IR1

Trr

φciało*L, φprzewód

[JEŚLI=JEŻELI(AV)]

[VR=VRRM]

V

A

A

stopień

stopień

V

μA

μS

mm

HPT1700

1700

10

100

175

-55~+175

1.4

5

Zero

TO220-2L

HPT2200

2200

10

100

175

-55~+175

2.0

5

Zero

TO220-2L

 

  • Dioda WN serii 2CLG1
    Diody szybkiego odzyskiwania wysokiego napięcia serii 2CLG1 10KV – 20KV 1A 100nS. Najlepszy prostownik mocy dla wymagających systemów wysokiego napięcia
  • Dioda HV serii BR-F
    BR-Seria F 2KV-10KV 0,4A-1A 150ns Diody szybkiego odzyskiwania wysokiego napięcia Udar 50A, seria BR-F, BR2F, BR3F, BR4F, BR5F, BR10F, dioda 10KV, dioda wysokiego napięcia 1A, udar 50A, dioda...
  • Dioda HV serii HPB
    Seria HPB 1KV-10KV 1,5A-5A 150ns Wysokonapięciowa dioda szybkiego odzyskiwania, udar 80A – niski współczynnik VF i niski wyciek do zasilaczy WN, laserów pulsacyjnych, sprzętu medycznego i systemów...
  • Dioda HV serii HVRW
    Seria HVRW 1kV–5kV 1A–5A Diody wysokiego napięcia szybkiego odzyskiwania
    Diody prostownicze wysokiego napięcia z wyprowadzeniem osiowym i czasem odzyskiwania wstecznego 80 ns–150 ns
  • Dioda HV serii HPT
    Diody Schottky'ego SiC 1700 V i 2200 V, wysokonapięciowe diody Schottky'ego z węglika krzemu do energoelektroniki o wysokiej-częstotliwości i{3}}wysokiej wydajności
  • Dioda wysokiego napięcia wysokiego prądu
    Dioda wysokiego napięcia 2CLG1-10, 10KV 1000mA, 150nS, dioda szybkiego odzyskiwania, wysokonapięciowa dioda wysokoprądowa o małych wymiarach, dioda HV do przemysłowych urządzeń elektrostatycznych,...
  • Dioda znamionowa wysokiego napięcia i wysokiego prądu
    2CLG1-20 Dioda wysokiego napięcia – prostownik szybkiego odzyskiwania 20 kV do zasilaczy wysokiego napięcia do obwodów powielaczy napięcia, sprzętu elektrostatycznego, systemów rentgenowskich-,...
  • Dioda wysokiego napięcia BR2F
    Dioda wysokiego napięcia BR2F, 2KV/1A 150nS, dioda szybkiego odzyskiwania, wysokonapięciowa dioda wysokoprądowa w miniaturowej obudowie Φ5*9/Φ1,2mm, miniaturowa obudowa. BR2F to wysokonapięciowa...
  • Dioda wysokiego napięcia BR3F
    Dioda wysokiego napięcia BR3F, 3KV/1A 150nS, dioda szybkiego odzyskiwania, wysokonapięciowa dioda wysokoprądowa w miniaturowej obudowie Φ5*9/Φ1,28mm, miniaturowa obudowa. BR3F to wysokonapięciowa...
  • Dioda wysokiego napięcia BR4F
    Dioda wysokiego napięcia BR3F, 4KV/0.8 150nS, dioda szybkiego odzyskiwania, wysokonapięciowa dioda wysokoprądowa w miniaturowej obudowie Φ5*9/Φ1,28mm, miniaturowa obudowa. BR2F to wysokonapięciowa...
  • Dioda wysokiego napięcia BR5F
    Dioda wysokiego napięcia BR5F, 5KV/0.8 150nS, dioda szybkiego odzyskiwania, wysokonapięciowa dioda wysokoprądowa w miniaturowej obudowie Φ5*9/Φ1,28mm, miniaturowa obudowa. BR2F to wysokonapięciowa...
  • Dioda wysokiego napięcia BR10F
    Dioda wysokiego napięcia BR10F, 10 KV/0.4 150 nS, dioda szybkiego odzyskiwania, wysokonapięciowa dioda wysokoprądowa w miniaturowej obudowie Φ5*9/Φ1,28 mm, miniaturowa obudowa. BR10F to...
Strona główna 12 Ostatnia Strona

Jako jeden z najbardziej profesjonalnych producentów i dostawców diod szybkiego odzyskiwania wysokiego napięcia i dużej mocy w Chinach, wyróżnia nas jakość produktów i dobra cena. Zapewniamy, że kupisz tutaj diodę szybkiego odzyskiwania wysokiego napięcia i dużej mocy ze zniżką i uzyskasz wycenę z naszej fabryki. Przyjmujemy również zamówienia niestandardowe.

Dioda wysokiego napięcia BR3F, Dioda HV serii HVRW
Wyślij zapytanie